电极边缘电场畸变

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在平板电极中央放入密度为17次方量级的种子电子，在发展阶段，电极边缘的流注比放置种子电子处的流注发展的更快，应该是由于边缘电场畸变导致的，但是想问一下，在电极左侧（即x=0处）为啥不会出现电场大幅度畸变的现象嘞？是有什么周期边界条件限制的吗，如果有的话，右侧的电极边缘应该如何设置边界条件嘞？跪求大神指导！！

工坊君

1. 尽量使边界角点远离电极
2. 尽量使边界角点不属于三介质（三种介电常数）交界点
否则，这种情况是不可避免的。需要合理布置计算域。计算域左侧没有以上两种问题。